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按照官方的说法，新型号的EUV光刻机系统 NXE:3600D将能达到93%的可用性，这将让其进一步接近DUV光刻机(95%的可用性)。

数据显示，NXE:3600D系统每小时可生产160个晶圆 (wph)，速度为30mJ/cm，这比 NXE:3400C高18%。二正在开发的 NXE:3800E系统最初将以30mJ/cm的速度提供大过195wph的产能，并在吞吐量升级后达到220wph。

据介绍，NXE:3600E 将在像差、重叠和吞吐量方面进行渐进式光学改进，而在0.33 NA的EUV光刻机领域，ASML路线图包括到2025年左右推出吞吐量约为220wph的NXE:4000F。

对于0.55 NA的光刻机，需要更新的不但是其光刻机系统。同时还需要在光掩模、光刻胶叠层和图案转移工艺等方面齐头并进，才能让新设备应用成为可能。

根据ASML 在一季度财务会议上披露的数据，公司的目标是在2022年出货55台EUV系统，并到2025年实现(最多)90台工具的计划。ASML同时还承认， 90台可能超过2025年的实际需求，不过他们将其描述为为满足2030年1万亿美元半导体行业需求所做出的巨大努力。

按照之前的说法，ASML正在研发新款光刻机，价值高达4亿美元(约合26亿元人民币)，双层巴士大、重超200吨。原型机预计2023年上半年完工，2025年首次投入使用，2026年到2030年主力出货。

这款机器应该指的就是High-NA EXE:5200(0.55NA)，Intel是全球第一个下单的公司。所谓High-NA也就是高数值孔径，2nm之后的节点都得依赖它实现。

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